1. CMOS detectors: Lessons learned during the STC stereo channel preflight calibration / E. Simioni, A. De Sio, V. Da Deppo [et al.] // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. - 2017. - Vol. 10562. - C. 10562M. - DOI:https://doi.org/10.1117/12.2296147.

2. Формирование ЭКБ для космического применения / П.П. Куцько, П.Л. Пармон, В.К. Зольников, С.А. Евдокимова // Моделирование информационных систем : сборник материалов Международной научно-практической конференции. - Воронеж, 2021. - С. 469-474. - DOI:https://doi.org/10.34220/MIS 469-474.

3. Ловшенко, И.Ю. Экстракция параметров компактных моделей элементной базы интегральных микросхем специального назначения / И.Ю. Ловшенко, В.Р. Стемпицкий, В.Т. Шандарович // Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. - 2019. - Т. 2, № 4. - С. 456-465.

4. Методы схемотехнического моделирования КМОП СБИС с учетом радиации / К.В. Зольников, В.А. Скляр, В.И. Анциферова, С.А. Евдокимова // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2014. - № 2. - С. 5-9.

5. Total ionizing dose hardness analysis of transistors in commercial 180 nm CMOS technology / M. Kumar, J.S. Ubhi, S. Basra [et al.] // Microelectronics Journal. - 2021. - Vol. 115. - C. 105182. - DOI:https://doi.org/10.1016/j.mejo.2021.105182.

6. Методы обнаружения и исправления ошибок в нерегулярных структурах при воздействии тяжелых заряженных частицах / А.Н. Зольникова, С.А. Евдокимова, О.В. Оксюта [и др.] // Моделирование систем и процессов. - 2021. - Т. 14, № 4. - С. 51-58. - DOI:https://doi.org/10.12737/2219-0767-2021-14-4-51-58.

7. Characterization of single event cell upsets in a radiation hardened SRAM in a 40 nm bulk CMOS technology / G. Yang, J. Yu, J. Zhang [et al.] // Electronics (Switzerland). - 2020. - Vol. 9(6). - C. 927. - DOI:https://doi.org/10.3390/electronics9060927.

8. Методика оценки ресурса изделий при радиационном воздействии / К.В. Зольников, С.А. Евдокимова, А.С. Ягодкин [и др.] // Современные аспекты моделирования систем и процессов : сборник материалов Всероссийской научно-практической конференции. - Воронеж, 2021. - С. 247-252. - DOI:https://doi.org/10.34220/MAMSP_247-252.

9. Громов, Д.В. Долговременные эффекты восстановления характеристик полевых транзисторов с затвором Шоттки при воздействии импульсного ионизирующего излучения / Д.В. Громов, В.В. Елесин // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. - 2020. - № 1-1. - С. 376-377.

10. Total dose measurement circuit design based on a voltage reference topology / K.J. Shetler, W.T. Holman, J.S. Kauppila [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. - 2017. - Vol. 64(1). - Pp. 559-566. - DOI:https://doi.org/10.1109/TNS.2016.2630702.

11. Phenomenological approach to simulation of proton indirect-ionization induced upset cross sections in commercial memory circuits / A.M. Galimov, O.S. Pivko, A.V. Alexandrov [et al.] // 2018 18th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, RADECS 2018. - 2020. - С. 9328730. - DOI:https://doi.org/10.1109/RADECS45761.2018.9328730.

12. Особенности проектирования луноходов с учётом радиационного воздействия космического пространства и бортовых радиоизотопных источников тепла / Е.В. Власенков, И.В. Зефиров, Н.М. Хамидуллина, Т.Ш. Комбаев // Вестник НПО им. С.А. Лавочкина. - 2019. - № 3 (45). - С. 12-19. - DOI:https://doi.org/10.26162/LS.2019.45.3.002.

13. Single Event Upset tests for a CMOS 0.35μ front-end and readout electronics for high-flux particle detectors / F. Fausti, G. Mazza, S. Attili [et al.] // 2017 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference, NSS/MIC 2017 - Conference Proceedings. - 2018. - C. 8532909. - DOI:https://doi.org/10.1109/NSSMIC.2017.8532909.

14. Лагаев, Д.А. Конструктивно-технологические особенности КМОП КНИ транзисторов с повышенной стойкостью к накопленной дозе ионизирующего излучения / Д.А. Лагаев, Н.А. Шелепин // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. - 2020. - № 1 (177). - С. 5-13. - DOI:https://doi.org/10.7868/S2410993220010017.

15. Булгаков, Н.Н. Методические особенности испытаний электронных модулей, содержащих мощные МОП-транзисторы, на стойкость к необратимым эффектам одиночных событий / Н.Н. Булгаков, В.Ф. Зинченко, И.Е. Сидоренко // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2021. - № 1. - С. 12-16.

16. Design of wireless dual-energy dual-source versatile pediatric imaging system based on CMOS flat-panel detectors / Y. Qi, Z. Zhou, Y. Wang [et al.] // 2016 IEEE Nuclear Science Symposium, Medical Imaging Conference and Room-Temperature Semiconductor Detector Workshop, NSS/MIC/RTSD 2016. - 2017. - C. 8069528. - DOI:https://doi.org/10.1109/NSSMIC.2016.8069528.

17. Моделирование характеристик субмикронных структур «кремний на изоляторе» с учетом радиационных эффектов / К.А. Насеткин, М.С. Муравьев, Г.М. Алимирзоев [и др.] // Научно-технический вестник Поволжья. - 2019. - № 7. - С. 127-130.

18. Проектирование компараторов напряжений на базе элементов радиационно-стойкого низкотемпературного BIJFET базового матричного кристалла МН2ХА030 / О.В. Дворников, Н.Н. Прокопенко, В.А. Чеховский [и др.] // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2018. - № 4. - С. 10-16. - DOI:https://doi.org/10.31114/2078-7707-2018-4-10-16.

19. Контроль качества функционирования бортовой аппаратуры космического аппарата при воздействии излучения двигательной установки / А.Н. Дементьев, А.В. Банников, К.В. Арсеньев [и др.] // Труды МАИ. -2021. - № 118. - DOI:https://doi.org/10.34759/trd-2021-118-20.

20. Прямое экспериментальное сравнение характеристик двух микропроцессоров для оценки эффективности методов борьбы с одиночными событиями / М.С. Горбунов, А.А. Антонов, П.А. Монахов [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. - 2019. - № 2. - С. 5-13.