Исследование кристаллов AuNi/n-n+-GaN диодов Шоттки методами атомно-силовой микроскопии

Торхов Николай Анатольевич; Новиков Вадим Александрович

doi:doi:10.15826/icrt.2019.02.2.20

УДК 53.043

Исследование кристаллов AuNi/n-n+-GaN диодов Шоттки методами атомно-силовой микроскопии

Опубликовано в ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫЕ И РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ · Том 2, Номер 2, 2019 · Страницы 216–226 · Рубрики: ГЛАВНАЯ РУБРИКА

DOI 10.15826/icrt.2019.02.2.20

Получено: 20.06.2019 Одобрено: 25.06.2019 Опубликовано: 25.06.2019 Язык публикаций: RUS

Авторы

Торхов Николай Анатольевич ¹ iD · Новиков Вадим Александрович ²

1 Севастопольский государственный университет (НИЛ «Динамика полета и управление беспилотными авиационными комплексами» Института национальной технологической инициативы, ведущий научный сотрудник)
с 01.01.2021 по настоящее время , Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов; Томский государственный университет; Томский университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)
Севастополь, Севастополь, Россия

2 Томский государственный университет

АННОТАЦИЯ

С использованием метода зонда Кельвина АСМ экспериментально подтверждено наличие составляющей E* электростатического поля периферии El, оказывающего значительное влияние на электростатическую систему AuNi/n-GaN контактов Шоттки.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА

нитрид галлия барьер Шоттки омический контакт работа выхода поверхность метод зонда Кельвина АСМ электрическое поле периферии

Информация Текст Литература

Авторы:

1. Севастопольский государственный университет (НИЛ «Динамика полета и управление беспилотными авиационными комплексами» Института национальной технологической инициативы, ведущий научный сотрудник)
с 01.01.2021 по настоящее время
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов; Томский государственный университет; Томский университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)

Севастополь, Севастополь, Россия

2. Томский государственный университет

Тип:

Статья

Страницы:

с 216 по 226

Статус:

Опубликован

Классификаторы:

УДК 53.043 физические

Язык материала:

русский

Ключевые слова:

нитрид галлия, барьер Шоттки, омический контакт, работа выхода, поверхность, метод зонда Кельвина АСМ, электрическое поле периферии

Текст

Текст (PDF): Читать Скачать

Список литературы

1. Torkhov N. A., Novikov V. A. The Effect of the Periphery of Metal-Semiconductor Schottky-Barrier Contacts on their Electrical Characteristics // Semiconductors. 2011. T. 45, № 1. C. 69-84.

2. Torkhov N. A. Effect of the Periphery of Metal-Semiconductor Contacts with Schottky Barriers on their Static Current-Voltage Characteristic // Semiconductors. 2010. T. 44, № 5. C. 1-12.

3. Торхов Н. А., Божков В. Г., Ивонин И. В., Новиков В. А. Исследование распределения потенциала на локально металлизированной поверхности n-GaAs методом атомно-силовой микроскопии // Поверхность. 2009. T. 11. C. 1-10.

4. Торхов Н. А., Божков В. Г., Гущин С. М., Новиков В. А. Оптимизация умножительного диода Шоттки миллиметрового диапазона // 22-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Севастополь, 2012. C. 635-636.

5. Торхов Н. А., Новиков В. А., Мармалюк А. А., Рябоштан Ю. Л. Влияние морфологии поверхности на приборные характеристикипланарных InP/GaAs диодов Шоттки миллиметрового диапазона // 22-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Севастополь, 2012. C. 633-634.

6. Торхов Н. А., Божков В. Г., Новиков В. А., Ивонин И. В. Исследование электрических полей Ni/GaN контактов металл - полупроводник с барьером Шоттки методами атомно-силовой микроскопии // 25-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Севастополь, 2015. C. 611-612.

7. Cornelia M., Carolus J., Krämer M. Gallium nitride-based microwave high-power heterostructure field-effect transistors : design, technology, and characterization. Eindhoven : Technische Universiteit Eindhoven. 2006. Proefschrift.

8. Торхов Н. А. Влияние электростатического поля периферии на вентильный фотоэффект в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки // ФТП. 2018. T. 52, № 10. C. 1150.

9. Мамедов Р. К. Контакты металл - полупроводник с электрическим полем пятен. Баку : БГУ, 2003.

10. Торхов Н. А. Влияние фото-ЭДС на токопрохождение в контактах металл - полупроводник с барьером Шоттки // ФТП. 2011. T. 45, № 7.C. 965-973.

11. Торхов Н. А. Поверхностный потенциал контактов металл - полупроводник с барьером Шоттки // Известия ВУЗов. Физика. 2008. Депонировано в ВИНИТИ № 334-В2008 от 18.04.2008.

12. Torkhov N. A., Babak L. I., Kokolov A. A., Salnikov A. S., Dobush I. M., Novikov V. A., Ivonin I. V. Nature of size effects in compact models of field effect transistors // Journal of Applied Physics. 2016. T. 119. C. 094505.

13. Миронов Л. В. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. 2004.

14. Meyerhof W. E. Contact potential difference in silicon crystal rectifiers // Phys. Rev. 1947. T. 71, № 10. C. 727.

15. Rhoderick E. H., Williams R. H. Metall-semiconductor contacts. 2nd ed. Clarendon. Oxford, 1988.

Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 International

Исследование кристаллов AuNi/n-n+-GaN диодов Шоттки методами атомно-силовой микроскопии

Подтверждение

Регистрация