Russian Federation
In article are considered designed models of the shaping electric parameters MOSFET in MATLAB for component CAD.
models, formalization of the procedures of the designing, CAD, MOSFET.
I. Введение
Развитие 3D моделирования компонентов САПР влечёт за собой необходимость формирования моделей, которые должны определять зависимости электрических параметров МОП – транзисторов. Такой подход обеспечивает пакет прикладных программ MATLAB, который позволяет интегрировать особенности моделей формируемых на объектно-ориентированном языке программирования в требуемые свойства компонентов САПР. Одним из примеров такого взаимодействия является САПР Cadence, которая интегрирует в себе возможности использования объектно-ориентированного языка С++Builder и имитационных моделей пакета прикладных программ MATLAB с использованием методов синтеза виртуальной реальности языка VRML.
Поэтому данная статья описывает модели MATLAB для формирования электрических параметров МОП – транзисторов для компонентов САПР.
1. Lavlinskiy, V. V. Algoritm formalizatsii MOP–tranzistorov dlya ob´´ektno-orientirovannogo yazyka programmirovaniya [Tekst] / V.V. Lavlinskiy, A.Kh.Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2016. – T.9. № 2. – S. 5-14.
2. Lavlinskiy, V. V. Modeli formalizatsii MOP–tranzistorov na osnove ob´´ektno-orientirovannogo yazyka programmirovaniya [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2016. – T.9. № 2. – S. 15-22.
3. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya komponentov dlya sistem avtomatizatsii proektirovaniya elektronnoy bazy na osnove sinteza virtual´noy real´nosti [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2013. – № 3. – S. 16-20.
4. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi yadernymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. – 2014. – № 4. – S. 24-32.
5. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie issledovaniya modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti pri vozdeystvii tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu. – 2014. – № 4. – S. 33-35.
6. Lavlinskiy, V. V. Teoreticheskie osnovy modelirovaniya proektiruemykh ob´´ektov elektronnoy komponentnoy bazy dlya sinteza virtual´noy real´nosti v vide vozdeystviy tyazhelymi zaryazhennymi chastitsami [Tekst] / V. V. Lavlinskiy. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2013. – № 3. – S. 20-25.
7. Zol´nikov, V. K. Modelirovanie ionizatsionnykh effektov i effektov smeshcheniya v tsifrovykh mikroskhemakh dlya SAPR [Tekst] / V. K. Zol´nikov, V. V. Lavlinskiy, Yu. A. Chevychelov, Yu. S. Serbulov, V. I. Antsiferova, V. N. Achkasov, Yu. G. Tabakov. Lesotekhnicheskiy zhurnal. – 2014. – T.4. №4 (16). – S.280-291.
8. Lavlinskiy, V. V. Analiz matematicheskikh zavisimostey EKV modeli dlya formalizatsii protsedur proektirovaniya MOP - tranzistorov [Tekst] / V. V. Lavlinskiy, A. Kh. Kh. Zhvad. Modelirovanie sistem i protsessov. – 2015. – № 4. – S. 27-33.
